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DMN3018SSS
2.4
2.0
I D = 1mA
20
15
1.6
I D = 250μA
1.2
10
T A = 25°C
0.8
5
0.4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
1.2
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
1,000
Fig.8 Diode Forward Voltage vs. Current
C iss
1,000
T A = 150°C
100
T A = 125°C
T A = 85°C
100
C oss
C rss
10
T A = 25°C
f = 1MHz
1
0
5 10 15 20 25 30
10
0
5 10 15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
V DS D = 9 A
8
6
4
2
0
= 15V, I
0
2
4 6 8 10 12 14
16
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge
DMN3018SSS
Document number: DS35501 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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